随着苹果iPod的继续大红大紫，NAND闪存已经成为便携式和消费电子产品固态存储产品领域的闪亮新星。

    NAND闪存在过去三四年间价格的急剧下降（约每年下降50％），是使之实现如此广泛推广和普及的原因，也给它带来了和磁带、CD和磁盘等传统存储媒介相比的竞争优势。除了低成本，它的防振动性能也比CD或硬盘好，并具有当今大多数消费电子产品所需的小外形，也能和固态电子系统、MPU或APU和模拟电路中的其它部分保持更好的系统一致性。闪存不需要任何机械部件和读取传感器来跟踪盘上的位置。但它的一个劣势在于，在如今这个节能意识很强的时代，它的功耗太高了 － 无论是运行功耗还是待机功耗。

    尽管有了这些优点，而且成本也很低，NAND闪存仍然需要继续努力，来说服用户它的性能比其它存储产品更好。

    由于用于读写氧化层存储电荷的部件会损耗，单层单元(SLC)和多层单元(MLC)成为大部分闪存用户关心的问题。如果需要无限读取，NAND闪存显然派不上用场。如果需要10万次读取，可以选择单层单元方案。但如果需要3000－10000次读取次数，NAND闪存才是更好的选择。 用户和系统设计者关注的其它问题，是NAND闪存无法随意读取数据、延迟过长和读取速度太慢，这些都造成了设计障碍，并增加了系统复杂性。有些产品需要更好的性能，而必须采用NOR闪存、DRAM或HS SRAM或HDD、磁带或CD。

    另外，NAND产品在业界没有实现互用性，缺少一个厂商特有规范和其它特征标准。这使得控制器的设计变得非常困难，尤其是当用户想要实现多源，需要一个有关下一代标准、产品和未来产品性能的发展路线图时。尽管开放式NAND闪存接口联盟已经实现了真正的进步，但东芝、三星和SanDisk等NAND厂商们，目前还无法确定这条“快速标准化”道路是会给他们带来最终的胜利还是灭亡。

    目前的形势还不明了，NAND厂商必须一致确定一个标准路线图，开展更多的工作，来根据可行的NAND规范规划未来的产品，并设计出功能不仅是NAND控制器那么简单的闪存控制器。

    但是，这些空白也在不断被填补，比如在今年由Denali Software举行的MemCon展会上，就有30多家公司展示了以NAND闪存为重点的闪存发展趋势和闪存产品。尤其是英特尔和三星两家公司，在改进用于各种产品的NAND闪存的性能上投入了很多技术力量，并在闪存功耗、故障率（HDD和闪存）、防振性能（HDD和闪存）、闪存和HDD初次存取及稳态带宽等方面通报了不错的研究结果，还紧跟市场形势，增强了其NAND产品的成本优势。在选择NAND闪存和其它方案时，需要考虑到产品生命周期内的总体拥有成本。

    2006年的技术和销售问题已经解决了，而随着制程从70纳米扩展到50纳米，随着MLC成为主要存储技术方案（而且四位单元已经开始出现了），以及Saifun和Spansion的NROM技术的日益普及，还有很多新问题必须搞清楚。NAND闪存技术改进带来的性能和可靠性的改变，不论是好是坏，都必须得到很好的理解，并告知市场上的用户和潜在用户。下面的细节可以让我们了解如何设计一个适合某应用的最佳方案。

    闪存设备的厂家不同，其产品的特征也有很多不同，有些也彼此不兼容。

    它们的指令序列（例如，读取缓存）、指令值和地址周期都是不同的。有些产品有多重平面和不同的指令集以及回拷贝指令序列，用于单平面和多平面设备，而且，块位置信息、ID、位置和输出管脚变数都不一样。这些仅仅是不同产品之间众多问题中的一小部分。

    在使用SLC产品时，从NAND中启动是很简单的。设备厂商现在仍然支持已经广为人知的启动区块，这表示他们可以担保所有0区块中的位数都是良好的。对于MLC产品也是一样的，但是你永远不能预测什么时候读取过程会被中断，所以在启动时需要采用某种形式的纠错码（ECC）。当然，将来某些厂家也有可能不支持这些区块。如果真的出现这种情况，就更难支持启动了，而且需要额外的电路来允许ECC纠错，还需要一个多级启动程序。在这里，大部分产品中并不需要的另外一个关键因素就是NAND产品的整个空间。